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A g纳米颗粒对S i纳米线阵列光催化性能影响
任 贝, 刘红缨, 薛志爽
石油化工高等学校学报
2015, 28 (5):
31-35.
DOI: 10.3969/j.issn.1006-396X.2015.05.007
采用原位还原 - 金属辅助化学刻蚀法制备表面修饰 A g纳米颗粒的S i纳米线阵列, 采用S EM、 EM、
UV - V i s和电化学工作站等手段进行表征, 通过光电化学池研究光催化分解水/甲醇溶液( 体积比1∶1) 实验, 分析修
饰不同浓度的 A g纳米颗粒的等离子体效应对S i纳米线阵列光催化分解水效率的影响。结果表明, 随着 A g纳米颗
粒浓度的增加, A g纳米颗粒/ S i纳米线阵列复合结构的开路电压迅速减小, 短路电流先增大后减小, 而当 A g纳米颗
粒以较小的浓度均匀分布于S i纳米线上时, 可得到最高的效率。揭示了 A g纳米颗粒的浓度对S i纳米线阵列光催
化性能的影响规律。
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